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BSC190N15NS3 G /MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N15NS3 G的规格信息
BSC190N15NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:29 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:53 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:BSC190N15NS3GATMA1 BSC19N15NS3GXT SP000416636

单位重量:100 mg

供应商BSC190N15NS3 G
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深圳市威雅利发展有限公司BSC190N15NS3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC190N15NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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”13725596657“17503034873
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BSC190N15NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:¥7.77
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